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参数目录43984
> HUF75631S3ST MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
型号:
HUF75631S3ST
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
HUF75631S3ST PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
1
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
33A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 33A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
79nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1220pF @ 25V
功率 - 最大
120W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263(D2Pak)
包装
标准包装
其它名称
HUF75631S3STFSDKR
查看HUF75631S3ST代理商
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